近日，收到北京市科委通知，我司李福盛博士作为项目负责人与北京工业大学共同申报的《康普锡威新型Sn基抗电迁移焊料开发项目》成功获得北京市自然科学基金立项支持。
在高密度封装互连系统中，互连焊点需承载高频信号与高电流密度，导致电子风力驱动的原子迁移速率呈指数级上升，焊点电迁移效应显著，同时，因局部电流密度分布不均和热膨胀系数失配，加速了电迁移与热疲劳的协同损伤。传统Sn基焊点在电迁移效应下形成的空洞与裂纹已成为威胁系统可靠性的致命瓶颈。该项目通过焊料成分设计和工艺优化实现Sn基高密度孪晶焊点的稳定制备，利用焊点中的高密度孪晶结构抑制电迁移效应，提升焊点抗电迁移可靠性。通过晶界强化提升焊点强度，提高焊点疲劳极限，增强抗热机械疲劳可靠性。
北京市自然科学基金立项支持将有力推动我司新型Sn基抗电迁移焊料的研发进程，突破高密度封装技术瓶颈，为我国芯片产业实现自主可控和高质量发展提供重要支撑。